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Casa /Prodotti/Varistore/Varistore a più strati metrico del chip del supporto MLV MLCV SMD 1608 di superficie MVR0603-8R0G 8V 30A per protezione dell'impulso

Varistore a più strati metrico del chip del supporto MLV MLCV SMD 1608 di superficie MVR0603-8R0G 8V 30A per protezione dell'impulso

1 bobina
MOQ
Negoziabile
prezzo
Varistore a più strati metrico del chip del supporto MLV MLCV SMD 1608 di superficie MVR0603-8R0G 8V 30A per protezione dell'impulso
Caratteristiche Galleria Descrizione di prodotto Richieda una citazione
Caratteristiche
Specificazioni
Tipo del varistore: Chip Metal Oxide Varistor a più strati
Dimensione: 0603(1608)
VCA massimo: 4V
VDC: 5.5V
VARISTOR VOLTAGE: 8V (7.0-9.9)
Capacità tipica: 260pF
Tensione di pressione massima: 15V
Picco di corrente massimo: 30A
Evidenziare:

varistore dei movimenti

,

protezione dell'impulso del varistore
Informazioni di base
Luogo di origine: La Cina
Numero di modello: MVR0603-8R0G
Termini di pagamento e spedizione
Imballaggi particolari: Nastro in bobina, 4000pcs per bobina
Tempi di consegna: 1 settimana
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 100.000.000 pezzi al mese
Descrizione di prodotto

Montaggio superficiale MLV MLCV SMD 1608 Metrica Multilayer Chip Metal Oxide Varistor MVR0603-8R0G 8V 30A

Descrizione


La serie MVR è un varistor a chip a base di ossido metallico per la soppressione della tensione transitoria.mostra una superiorità in termini di affidabilità elettrica rispetto al diodo ZenerInoltre, la serie MVR mostra migliori proprietà elettriche come elevata tensione di fissaggio e bassa corrente di fuga.

Varistore a più strati metrico del chip del supporto MLV MLCV SMD 1608 di superficie MVR0603-8R0G 8V 30A per protezione dell'impulso 0

Applicazioni


* Protezione dal rumore di tensione transitoria in tutti i tipi di circuiti integrati
* Protezione da ESD, EFT e sovraccarico della porta di I/O
* Sostituzione di un diodo Zener

Caratteristiche


* Il varistor a chip fornisce un'alta affidabilità sul montaggio in superficie
* Ampia gamma di tensione di funzionamento (VW = 5,6V ~ 30V)
* Buono rapporto di fissaggio e bassa corrente di perdita
* L'elettroplatazione del Ni e della saldatura dà una maggiore saldabilità
* Ampia temperatura di funzionamento (-55-125°C)
* Sono disponibili diverse capacità

Dimensione ((mm)

Varistore a più strati metrico del chip del supporto MLV MLCV SMD 1608 di superficie MVR0603-8R0G 8V 30A per protezione dell'impulso 1

Modello 1005 ((0402) 1608 ((0603) 2012 ((0805) 3216(1206) 3225(1210) 4532(1812) 5750 ((2220) 8050 ((3220)

Distanze

(L)

 1.00±0.15 1.60±0.20 2.00±0.20 3.20±0.20 3.20±0.20 4.50±0.30 5.70±0.30 8.0±0.30
Larghezza ((W) 0.50±0.15 0.80±0.20 1.20±0.20 1.60±0.20 2.50±0.20 3.20±0.20 5.00±0.30 5.00±0.30
Alto (H) 0.70max 0.90max 1.30max 1.60max 2.50max 3.20max 4.50max 4.50max

Parametri elettrici della serie SMD Metal Oxide Varistor

Parte
Numero
Lavorare
Disaggregazione
Clamping
Corrente di picco
Voltaggio
Voltaggio
Voltaggio
Climatizzazione
DC
@ 1mA DC
8/20uS
8/20uS ((A) Ip ((MAX)
VAC
VDC
VB
VC
0603
0805
1206
1210
1812
2220
3220
1.4
2
3
2.4 ¢3.6
9
20
2.4
3.3
5
4.0 ¥6.0
12
20
60
80
4
5.5
8
7.0 ¢10.5
14
20
60
80
250
400
7
9
12
10 ¢14
24
20
60
80
250
400
800
11
14
18
15.5 ¢21
30
20
80
100
250
400
800
500
14
18
24
22-27
38
20
80
100
250
500
1200
500
17
22
27
24 ¢ 30
42
20
80
100
250
500
1200
500
20
26
33
29 ¢ 36
54
20
80
100
250
500
1200
500
24
30
39
35 ¢ 42
65
20
80
100
250
500
1200
500
28
36
47
42 ¢ 52
77
20
80
100
250
500
1200
500
35
45
56
50 ¢62
90
80
100
250
500
1200
500
40
56
68
60 ¢ 75
110
100
250
500
1200
500
50
65
82
73 ¢ 91
135
80
200
300
800
500
60
85
100
90 ‰ 110
165
80
200
300
800
500
75
100
120
108 ¢132
200
200
300
500
500
95
125
150
135 ¢ 165
250
300
500
500
115
150
180
162 ¢198
300
500
500
130
170
205
184 ¢ 226
340
500
140
180
220
198­242
360
500
150
200
240
216 ¢ 264
395
500
175
225
270
243 ¢ 297
455
500
230
300
360
324 ¢ 396
595
500
250
320
390
351 ¢ 429
650
500
275
350
430
387 ¢ 473
710
400
300
385
470
423 ¢ 517
775
400

Varistor contro TVS Diode

La corrente ESD ha un tempo di aumento di sotto nanosecondi, una durata di decine di nanosecondi e la sua ampiezza raggiunge oltre 10KV.
Il diodo TVS ha prestazioni simili a quelle del varistor di LATTRON, in termini di tempo di risposta e di capacità di gestione.
direzionalità operativa, polarità e miniaturizzazione come indicato nella tabella.

LATTRON® VARISTOR Diodo TVS
Tempo di risposta < 1n > 1n
Capacità di gestione dell'ESD > Contatto 8kV, 10 cicli
Corrente di perdita Basso in tutte le specifiche. Alti in caso di:
Spec di bassa tensione.
Corrente di sovraccarico Basso soprattutto in
capacità di gestione		 E' molto elevato. specifica di alta tensione.
Temperatura operativa. Le caratteristiche sono:
deteriorato oltre 80°C

Le caratteristiche sono:

deteriorato a partire da 25°C
Dimensione Min. 0603 mm Min. 1608 mm

Prodotto Tag:

varistore dell'ossido di zinco

varistore dei movimenti

protezione dell'impulso del varistore

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